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上海伯东 KRI 射频离子源 RFICP 40

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品牌: KRI
单价: 面议
起订: 1 台
供货总量: 100 台
发货期限: 自买家付款之日起 天内发货
所在地: 上海
有效期至: 长期有效
最后更新: 2022-06-21 10:59
浏览次数: 5
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上海伯东代理美国原装进口 KRI 射频离子源 RFICP 40 : 目前 KRI 射频离子源 RFICP 系列尺寸最小, 低成本高效离子源. 适用于集成在小型的真空腔体内. 离子源 RFICP 40 设计采用创新的栅极技术用于研发和开发应用. 离子源 RFICP 40 无需电离灯丝设计, 适用于通气气体是活性气体时的工业应用. 标准配置下 RFICP 40 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 120 mA.

 

射频离子源 RFICP 40 特性:

1.       离子源放电腔 Discharge Chamber, 无需电离灯丝, 通过射频技术提供高密度离子, 工艺时间更长.

2.       离子源结构模块化设计, 使用更简单; 基座可调节, 有效优化蚀刻率和均匀性.

3.       提供聚焦, 发散, 平行的离子束

4.       离子源自动调节技术保障栅极的使用寿命和可重复的工艺运行

5.       栅极材质钼和石墨,坚固耐用

6.       离子源中和器 Neutralizer, 测量和控制电子发射,确保电荷中性

                                               

KRI 射频离子源 RFICP 40 技术参数:

型号

RFICP 40

Discharge 阳极

RF 射频

离子束流

>100 mA

离子动能

100-1200 V

栅极直径

4 cm Φ

离子束

聚焦, 平行, 散射

流量

3-10 sccm

通气

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型压力

< 0.5m Torr

长度

12.7 cm

直径

13.5 cm

中和器

LFN 2000

 

KRI 射频离子源 RFICP 40 应用领域:

预清洗

表面改性

辅助镀膜 (光学镀膜 ) IBAD,

溅镀和蒸发镀膜 PC

离子溅射沉积和多层结构 IBSD

离子蚀刻 IBE

1978 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. KRi 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.

若您需要进一步的了解产品详细信息或讨论请联络上海伯东邓女士分机134


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